[导读]:碳化硅行业：碳中和趋势的主要受益者，5年市场规模有望翻5倍碳化硅(SiC)作为第三代化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，SiC器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。根据我们测算，在碳中和大趋势的推动下，全球碳化硅器件/材料市场规模到2025年分别有望达到59.79/29.90亿美元，2021-2025年CAGR为38.2/38.2%，呈现高速发展态势。我们建议投资人关注：1)具备较强产业链及客户基础的SiC功率器件厂商；2)“跑马圈地”模式下具备稀缺有效产能的材料公司；3)相关设备公司。
碳化硅作为第三代化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，SiC器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。由于技术迁移成本高、价格高企、产能紧张等因素，我们认为碳化硅仍处于渗透早期，当前主要应用于中高端新能源车、充电桩及基站射频等领域，我们预计全球SiC器件市场规模2025年将达59.79亿美元，较2020年翻5倍。建议投资人关注：1)具备较强产业链及客户基础的SiC功率器件厂商；2)“跑马圈地”下具备稀缺有效产能的材料公司；3)产业链相关设备公司。
碳化硅器件：成本下滑带动渗透率迅速提升，800V架构成为重要催化剂 ... 网页链接